氧化亞硅真空蒸餾爐

設備用途：氧化亞硅氣相沉積包覆爐，是利用真空蒸鍍法將粉碎后的所得元素摻雜金屬硅與二氧化硅通過(guò)真空蒸鍍工藝，制得元素摻雜氧化亞硅。

設備特點(diǎn)：

1、本公司自行設計生產(chǎn)的氧化亞硅氣相沉積包覆爐有兩種加熱方式（感應加熱、電阻加熱和中頻感應加熱），內部各溫區溫差在±5℃以?xún)?，能有效保證物料在內腔內的反應溫度均勻。加熱端溫度≤1400℃，收集區溫度≤900℃。能充分滿(mǎn)足客戶(hù)用于氧化亞硅等可氣相沉積材料的燒結工藝。

2、設備采用熱電偶接觸式測溫控溫精度高，高溫真空度好，物料收集率高，具備物料烘干、燒結、收集于一體等特點(diǎn)，其物料反應充分、收集率高等特點(diǎn)。

3、真空采用三級真空機組，油擴散泵+羅茨泵+機械泵+真空閥門(mén)，以及我公司自行生產(chǎn)設計的真空過(guò)濾系統組成，具有真空度高，設備能在高溫、高真空環(huán)境中長(cháng)期使用。

設備常用尺寸規格：